D램·낸드 올해도 가격강세 이어진다...삼성전자 등 메모리 4강 공급 제자리

10나노급 D램 도입, 공정 스텝수 늘어 생산성에 제약
마이크론 리하이 공장 낸드 생산 중단…올해 24% 줄듯

삼성전자와 SK하이닉스가 D램, 낸드플래시에 생산투자를 늘리고 있지만 올해 실제 출하량은 크게 증가하지 않을 것으로 전망됐다. 여기에 도시바, 마이크론 등 다른 메모리 기업들의 생산량도 전년과 비슷하거나 오히려 감소해 올해 내내 D램, 낸드플래시 가격이 계속해서 강세를 나타낼 것이라는 전망도 나온다.

15일 시장조사업체 IHS마킷에 따르면 올해 삼성전자를 제외한 나머지 메모리 반도체 기업들의 D램, 낸드플래시 생산량이 당초 기대보다 낮은 수준을 기록할 것으로 분석됐다. 삼성전자 (2,584,000원▼ 4,000 -0.15%)의 경우 평택 반도체 공장 가동에 따라 D램, 낸드 모두 소폭 상승세가 예상되지만 시장 수요를 맞추기엔 오히려 부족하다는 평가도 나온다.

？ 삼성전자는 올해 웨이퍼(반도체 원재료) 투입 기준으로 약 495만장 수준의 D램을 생산할 것으로 관측된다. 지난해와 비교하면 D램 생산규모가 약 7% 늘어나는 셈이다. 다만 10나노 중반대 미세공정 비중이 높아지면서 웨이퍼 하나당 건질 수 있는 D램 칩수가 늘었기 때문에 실제 D램의 비트그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)는 이보다 높을 전망이다.

SK하이닉스 (87,700원▼ 1,900 -2.12%)의 경우 올해 웨이퍼 투입 기준으로 35만장 수준의 D램 생산량을 기록할 전망이다. 전년보다 0.2% 감소한 수치다. 경기도 이천 M14 공장의 D램 생산량은 증가할 것으로 보이지만, 중국 우시(無錫) 공장의 생산능력 소폭 줄어드는 것으로 IHS마킷은 관측했다. D램업계 3위인 마이크론 역시 올해 웨이퍼 투입 기준 27만장의 생산량으로 전년과 사실상 동일한 수준을 나타낼 전망이다.

국내 반도체 장비업계 관계자는 "D램 생산은 20나노 후반대에서 20나노 초반대, 10나노 후반대 등으로 미세공정 기술이 고도화되면서 웨이퍼 한 장에서 뽑아낼 수 있는 칩은 더 많아졌지만, 반대로 생산 공정 스텝수가 많아져 동일한 시간 내에 투입할 수 있는 웨이퍼의 숫자는 적어지고 있다"며 “삼성이 유일하게 성장세를 나타내는 건 평택 공장 효과"라고 설명했다.

지난해 내내 공급과잉설에 대한 우려가 확산됐던 낸드플래시 역시 삼성전자를 제외하면 큰 규모의 생산량 증가는 없을 것으로 보인다. 우선 삼성전자의 경우 평택 반도체 공장 생산량이 꾸준히 상승해 최대 생산능력인 근접하면서 전년보다 1.4% 수준의 공급량 증가가 관측된다.반면 매각에 난항을 겪고 있는 도시바는 웨이퍼 생산량이 전년보다 5% 수준 감소할 것으로 보인다. SK하이닉스 역시 63만장 수준의 연간 생산량을 기록하며 전년보다 소폭 감소할 것으로 보인다. 낸드 생산 공정 역시 3D 낸드의 적층수가 72단 수준으로 높아지면서 생산공정이 더 어려워졌다는 분석이다.

마이크론의 경우 두번째로 큰 생산거점인 유타주 리하이(Lehi) 공장을 연내 낸드에서 3D 크로스포인트로 전환할 예정이다. 더이상 이 공장에서 낸드를 생산하지 않는다는 의미다. 이에 따라 마이크론의 연간 낸드 생산량이 24% 가량 줄어들 것으로 보인다.반도체업계 관계자는 "모든 메모리 반도체 기업들의 고민은 미세공정 고도화로 인해 생산 공정이 복잡해지면서 생산량을 좀처럼 끌어올리기 힘들다는 것"이라며 "삼성전자가 평택에 신공장을 설립해 가장 공격적인 설비투자에 나섰지만, 나머지 기업들의 생산량이 정체돼 있는 상황이라 올해 역시 시장 수요를 맞출 수 있을지 불분명하다"고 설명했다.

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