D램이란 역사그리고 종류

D램의역사

본래 인텔이 처음 만들다가
일본애들이 하두 싸게파니 견디들 못해 인텔이 포기하고 cpu중심으로 만 사업 펼처
일본애들 도산하고
일본내 그이전 공장은 마이크론이인수 공장 확장한적이 없어
DDR3시대(2007~2012년)에 반도체 치킨 게임이란 혈투가 벌어졌던시기
그러다 한국이 잘발전시켜 지구촌을 풍요롭게


일반PC=CPU+D램+하드디스크
...........................하드디스크+ SSD 현재겸용사용 2배빨라
............................하드디스크 점차 없어져 SSD시대로 변해가 ..특히노트북은 가벼워서 SSD사용

D램이란 임시저장소이며 전기불이나가면 메모리가 사라져 ...다기억할 필요 없으므로
낸드플레쉬란 ............기억할 필요 있으므로 전기불 나가도 저장이되 (SSD =낸드플레쉬+콘트럴러+....)

D램종류
DDRㅡ>DDR2ㅡ>DDR3ㅡ>DDR4
간단계로갈수록 2배속도가빨라져
DDR3는 2007년부터시작 2016년 하반 끝나간듯
DDR4는 2014년 부터시작 지지부진하다 2016년 하반부터 본격사용시작
통상
4GA는 일반용 업무용
8GA는 게임용등 ........현재 게임용도 16GA사양을 요구

일반PC=CPU+D램+하드디스크
스마트폰=...........................추가+통신+카메라 ...일반PC와 원리는 같다
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삼성전자서 ASML사 극자외선(EUV) 장비 싹쓸이 도입
DDR4도 20나노급 ㅡ>10나노급 으로 더욱미세화 ㅡ>7나노급
(ArF장비를이용)......(ArF장비를이용 QPT기술).......>결국 금번 ASML사 극자외선(EUV) 장비구입으로간듯
......................QPT 방식은 공정이 늘어나 복잡해지면서 원가가 상승한다는 단점이 있다.
.............................................이를극복하고져 ......>결국 금번 ASML사 극자외선(EUV) 장비구입으로간듯
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■ 8GA DDR4 기술력 차이
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7나노급 삼성전자가 이번ASML사 극자외선(EUV) 장비 싹쓸이 도입...생산준비중
8나노급 삼전 가능...생산준비중
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10나노급 삼성전자가유일
20나노급 초반대 하이닉스 ..4분기부터 10나노급진입한다함
20나노급 초반대 진입 어려움겪고있다함 마이크론
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■ 10나노급 DDR4특징 (20나노급에비교해)
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삼성전자가 이번에 양산하는 것은 기업용 서버에 들어가는 D램이다. 조만간 모바일 D램도 양산에 들어간다.
10나노 공정으로 미세화되면서 그만큼 초고속 구동과 초절전이 가능해졌다.
10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빨라졌고 소비전력은 10%~20% 절감된다.
10나노 D램의 효용은 모바일 기기에 탑재될때 극대화된다. 삼성전자는 서버용 D램에 이어 조만간 모바일용 D램도 양산한다.
삼성전자 관계자는 "D램이 차지하는 공간이 10% 이상 줄어들기 때문에 그만큼 설계를 자유롭게 할 수 있고 배터리도 더 큰 것을 탑재할 수 있다"며 "특히 소비 전력이 절약되는 만큼 같은 용량의 배터리를 탑재해도 스마트기기의 사용 시간을 더 늘릴 수 있다"고 소개했다.
10나노급 D램에선 하나의 웨이퍼에서 이전 제품(20나노 D램)보다 30% 이상 많은 1000개 이상의 칩이 생산된다
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■이번에 7나노급DDR4는 엄청날듯 ?7나노급 삼성전자가 이번ASML사 극자외선(EUV) 장비 싹쓸이 도입